برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

» :: برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

چکیده

در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن بهترین آرایش در ناحیه کاری زیرآستانه ای مورد بررسی قرار می گیرد و در کار با ولتاژهای تغذیه بسیار پایین شبیه سازی می گردد. برای پشتیبانی از مباحث نظری انجام شده، آرایشهای گوناگون مداری مورد آزمایش و شبیه سازی قرار می گیرد. جنبه های گوناگون مدارهای فلیپ فلاپ با جزییات تشریح می شود تا بهترین توپولوژی برای استفاده در ولتاژهای تغذیه بسیار پایین و کاربردهای بسیار کم توان بررسی شود. نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان راه اندازی و زمان نگهداری نیز بهبود می یابد.

خرید و دانلود محصول

1394/07/27

---

فناوری نانو , CMOS 65 , New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology , CMOS Technology , Subthreshold Concepts , مقاله برق , مقاله برق و الکترونیک , مقاله انگلیسی برق , مقاله انگلیسی برق با ترجمه فارسی , مقاله انگلیسی برق با ترجمه , مقاله انگلیسی برق و الکترونیک

---

لینک محصول

http://file724.zepo.ir/post/14802

لینک منبع :برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری

برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ... futurearticle.ir/articles/40399‎Cached11 ا کتبر 2015 ... مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری. چکیده. در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری ... برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری - تمام ... www.allfiles.blogsky.com/1395/04/28/post-6593/‎Cached18 جولای 2016 ... در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن ... دانلود مقاله : مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری isiarticles.com/article/53003‎Cachedمقاله ISI انگلیسی شماره 53003 - ترجمه شده - موضوع : فناوری CMOS - 5 صفحه - سال انتشار ... دسته بندی موضوعی مقالات ISI · سایر موضوعات مهندسی برق و الکترونیک · فناوری CMOS ... مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ... توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری - ISI fileisi.ir/article/08/42673.html‎Cached13 آگوست 2012 ... مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتریچکیدهدر این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS ... مقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری 65CMOS نانومتری farafile.ir/.../مقاله-ترجمه-شده-مباحث-جدید-زیر-آستانه-ای-در-فناوری-65cmos-نانومتری‎Cachedمقاله ترجمه شده مباحث جدید زیر آستانه ای در فناوری 65CMOS نانومتری ... دسته بندی: فنی و مهندسی » برق، الکترونیک و مخابرات ... در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. ... توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری kingdom.dl19.ir/.../برق-23-مباحث-جدید-زیرآستانه-ای-در-فناوری-cmo.html 13 آگوست 2012 ... مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتریچکیدهدر این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS ... مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى ... collegeprojects.ir/articles/644‎Cached12 جولای 2016 ... New Subthreshold Concepts in 65nm CMOS Technology مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى 65 نانومتری رشته: برق و ... در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می ... برق ۲۳٫ مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری filegah.ir/برق-23-مباحث-جدید-زیرآستانه-ای-در-فناوری-cmo/‎Cached16 ژوئن 2016 ... در این مقاله، در مورد چالشهای مختلف کار در ناحیه زیرآستانه ای در مدارهای با فناوری CMOS 65 نانومتر، بحث می شود. مدارهای گوناگونی برای یافتن ... مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری firearticle.ir/.../مباحث-جدید-زیرآستانه-ای-در-فناوری-cmos-65-نان.html‎Cached19 دسامبر 2014 ... برق 23. مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری . ... ویرایش) پروژه کارشناسی ارشد برق چکیده در این مقاله، جمع کننده کامل (FA) ... مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری | حرف نو! neword.ir/article/2256.html‎Cached5 آوریل 2015 ... مباحث جدید زیرآستانه ای در فناوری CMOS 65 نانومتری ... پروژه کارشناسی ارشد برق. چکیده ... نتایج شبیه سازی نشان می دهد مصرف توان در مدارهای پیشنهادی این مقاله، مقایسه با دیگر فلیپ فلاپ ها حداقل 23% کاهش می یابد. همچنین زمان ...